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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


液相法SiC長晶爐設(shè)備

?液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動(dòng)力來實(shí)現(xiàn)晶體的生長。

晶體提拉設(shè)備

◆ 直拉法晶體生長專用設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長晶體 ◆ 采用自動(dòng)稱重結(jié)構(gòu),在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長過程

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