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PECVD (立式/臥式)
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? PECVD主要應(yīng)用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長(zhǎng)，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產(chǎn)生大量的活性基團(tuán)，這些活性基團(tuán)在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積到襯底表面，生長(zhǎng)出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
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